微电子专业本科生获得“第二十三届全国半导体物理学术会议”优秀墙报奖
发布时间：2021.07.16
来源： 伟德国际1949官方网站
2021年7月8日至11日，第二十三届全国半导体物理学术年会在西安成功举办，全国共有超过200家高校、科研院所及企业参会，参会人数超过2000人。此次大会邀请报告352个，口头报告203个，其中企业报告、墙报展示705份，有69位同学获得Poster奖。
微电子专业大三员工王璇钰的墙报“低温和室温下重离子辐照诱生缺陷影响的研究”得到了专家的好评,并获得poster奖。微电子专业杨治美副教授做口头报告，报告题目—低温重离子辐照对碳化硅器件电学性能的影响，反响强烈，报告后许多师生前来探讨。
